特許

J-GLOBAL ID：200903097123391089

薄膜形成方法

発明者： 岩瀬 秀夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-146345
公開番号（公開出願番号）：特開2002-339061
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 電気抵抗率が低い薄膜を基板上に均一に形成する。【解決手段】 対向ターゲット法スパッタリング装置は、互いに対向配置された一対のターゲット2a,2bと、ターゲット2a,2bに挟まれた空間に磁場を発生させる磁場発生手段(不図示)と、その空間に対向する位置に配置された基板4とを有し、ターゲット2a,2bと基板4との間に電場を発生させてプラズマを発生させるとともに、上記空間に磁場を発生させてプラスマを保持することによってターゲット2a,2bから生じたスパッタリング粒子を基板4上に堆積させることにより、基板4上に薄膜を形成する。この装置を用いた薄膜形成方法において、隙間を有する防着板8を上記空間と基板4との間に設置し、上記空間から防着板8の隙間を通って基板4上に飛来してきたスパッタリング粒子のみを基板4上に堆積させる。

請求項（抜粋）：

一定の間隔をおいて互いに対面するように設置された一対のターゲットと、該一対のターゲットに挟まれた空間に、前記ターゲットの表面に対して垂直な磁場を発生させる磁場発生手段と、前記空間に対向する位置に配置された基板とを有する対向ターゲット法スパッタリング装置を用い、前記一対のターゲットと前記基板との間に電場を発生させてプラズマを発生させるとともに、前記空間に磁場を発生させて前記プラスマを保持することによって前記ターゲットから生じたスパッタリング粒子を前記基板上に堆積させることにより、前記基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、隙間を有する防着板を前記空間と前記基板との間に設置し、前記空間から前記隙間を通って前記基板上に飛来してきた前記スパッタリング粒子のみを前記基板上に堆積させることを特徴とする薄膜形成方法。

Fターム (9件)：

4K029BA50 ,  4K029BC05 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DA10 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029KA01