特許

J-GLOBAL ID：200903097125004180

半導体装置の製造方法

発明者： 柳川 周作 ,  山縣 秀夫 ,  河本 健芳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278349
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093735
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 ヘテロエピタキシャル成長後のランプアニール処理において、ヘテロエピタキシャル層の転位の低減を図る。【解決手段】 下地半導体上に該下地半導体とは異種の半導体層を有する基体に対する光照射による熱処理に際し、開始温度T1 と到達最高温度T4 との間の中間温度T3 で一旦上記基体の温度を保持する、又は開始温度T1 と到達最高温度T4 との間の中間温度T3 から該到達最高温度T4 までの温度上昇速度より、中間温度T3 以前の温度上昇速度を小さく設定する。

請求項（抜粋）：

下地半導体上に該下地半導体とは異種の半導体層を有する基体に対する光照射による熱処理に際し、開始温度と到達最高温度との間の中間温度で一旦前記基体の温度を保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 29/165 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 21/26 G ,  H01L 29/72

Fターム (10件)：

5F003AP05 ,  5F003BA09 ,  5F003BB04 ,  5F003BB05 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BP32 ,  5F003BP41