特許
J-GLOBAL ID：200903097127980739
半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277313
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218002
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 プロセススペース中のプロセスガスをほぼ定常状態の「停滞層」とし、層の形成にほぼ完全に使用することができ、比較的わずかの量しか使用せずに一層均一な層を得ることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。【構成】 ポンプ( 2)により低圧に保った反応室( 1)中で材料の層( 6)を半導体ウエファ( 4)の表面( 3)上にプロセスガス( 5)から蒸着するが、ウエファを反応室中でガス分布プレート( 7)と平行に配置して、反応室と周囲の開放連絡部( 9)を有すプレーナプロセススペース( 8)を形成し、その後プロセスガスをガス分布プレートの入口開口部(10)を介してプロセススペースに導入するとともに反応室中の開放連絡部の周りに補助ガス(11)を導入する方法において、開放連絡部においてガス圧力がプロセススペース内の圧力とほぼ等しくなるように補助ガスを反応室内に導入する。
請求項（抜粋）：
【請求項 1】 ポンプにより低圧に保った反応室中で材料の層を半導体ウエファの表面上にプロセスガスから蒸着するが、ウエファを反応室中でガス分布プレートと平行に配置して、反応室と周囲の開放連絡部を有すプレーナプロセススペースを形成し、しかる後、プロセスガスをガス分布プレートの入口開口部を介してプロセススペースに導入するとともに、反応室中の開放連絡部の周りに補助ガスを導入する半導体デバイスの製造方法において、開放連絡部においてガス圧力がプロセススペース内の圧力とほぼ等しくなるように補助ガスを反応室内に導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。【請求項 2】 ウエファの周りおよびこれを越して突出したリングを用い、該リングがウエファに直接接し、ガス分布プレートと共にプロセススペースの延長部を形成することを特徴とする請求項 1記載の方法。【請求項 3】 プロセススペースの延長部がガス分布プレートとウエファの間隔より大きな長さを有することを特徴とする請求項 2記載の方法。【請求項 4】 リングをウエファのための支持部として用いることを特徴とする請求項 2または 3記載の方法。【請求項 5】 プロセスガスを供給するために均一に分布した入口開口部を有すガス分布プレートを用いることを特徴とする請求項 1〜 4のいずれか一つの項に記載の方法。【請求項 6】 開放連絡部の周りを取り巻き、その周囲全体にわたり開口部を備えた管を介して、補助ガスを反応室内に導入することを特徴とする請求項 1〜 5のいずれか一つの項に記載の方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/54
, C30B 25/14
