特許

J-GLOBAL ID：200903097130335917

単結晶育成方法

発明者： 和泉 輝郎
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128020
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310485
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 カスプ磁界を印加した原料融液5からCZ法により単結晶6を引き上げる単結晶育成方法において、単結晶6の製造歩留りを向上させる。【解決手段】 原料融液5を収容する坩堝3の内径Uを、単結晶6の外径をYとして(Y+140mm)以上、3Y未満とする。カスプ磁界を印加した状態では、坩堝内径Uを小さくしても、高い引き上げ歩留りが維持される。坩堝内径Uを小さくすることにより、酸素歩留り及び無転位歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

磁界が印加された坩堝内の原料融液からCZ法により単結晶を引き上げ際に、内径が(結晶径+140mm)以上(結晶径×3)未満の坩堝を使用することを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (4件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 30/04 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 G ,  C30B 30/04 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶シリコンロッドの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215973   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド