特許

J-GLOBAL ID：200903097132509157

絶縁膜の形成方法とこれによる半導体装置の製法

発明者： 鮫島 俊之 ,  森 啓 ,  香野 淳 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  関谷 光信 ,  金谷 康弘 ,  矢野 三千久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017609
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232117
出願日： 1993年02月04日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 膜質に優れたシリコンダイオキサイドSiO2 薄膜による絶縁膜を低温で形成することができるようにするとともに、このSiO2 と半導体例えばシリコンSiとの界面特性に優れた半導体装置を作製する。【構成】 シリコン(Si)またはシリコンモノオキサイド(SiO)を加熱蒸発させ、この蒸発したSiまたはSiOを気相で酸素Oと反応させてシリコンダイオキサイド(SiO2 )を生成して基体4上に付着させ、SiO2 薄膜7による絶縁膜を基体4上に成膜させる。

請求項（抜粋）：

シリコンまたはシリコンモノオキサイドを加熱蒸発させ、この蒸発したシリコンまたはシリコンモノオキサイドを気相で酸素と反応させてシリコンダイオキサイドを生成させるとともに基体上に付着させてシリコンダイオキサイド薄膜による絶縁膜を上記基体上に成膜することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-172226
  
• 特開昭59-217332
  
• 特開昭54-122697