特許

J-GLOBAL ID：200903097137509562

二重のセル・プレートを備えた複数ポリ・スペーサ・スタック型キャパシタ

発明者： ヒャン・シー・チャン ,  ピエール・ファザン
出願人/特許権者： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066556
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029482
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高密度、大容量DRAMの記憶セルの表面積を最大化する。そのため記憶節点セル・プレート・ポストを有するマルチポリ・スペーサ式二重セルプレートのスタック・キャパシタ(MDSC)を提供する。【構成】活性領域21へ接続される埋設接点61に複数のポリポストを有し、記憶接点構造111を形成する。これが誘電体121を挾持するポリシリコン122により被覆されてMDSCを形成する。

請求項（抜粋）：

下向きに延在して記憶節点接合部において接触(61)する垂直のポリ・スペーサ(91)を囲繞する長方形箱型形状の平坦部分を含んで成る、導電性の記憶節点プレート(111)と;前記記憶節点接合部の接触(61)の個所を除いて、前記記憶節点プレート(111)に隣接して同延的に広がるように成した、セル誘電体(52,121)と;前記セル誘電体(52,121)に隣接して同延的に広がるように成した導電性の二重のセル・プレート(51,122)とを含んで成る、シリコン基板(20)上に製造される記憶キャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04