特許
J-GLOBAL ID：200903097138600709
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-221606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078932
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】本発明は、複数の半導体チップを接合してなる半導体装置の製造方法において、接合の強度および導通の信頼性などを向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、上面から側面にかけて電極メタル11が形成された半導体チップ10の、その上面にバンプ状の半田12を形成する。そして、上記チップ10,10の側面において、電極メタル11のそれぞれが対応するように位置合わせした状態で、各チップ10,10の上面の半田12をそれぞれ溶融させる。こうして、溶融された半田12により電極メタル11の上面および側面を接続することで、両チップ10,10の相互を安定に接合し得る構成とされている。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップを接合してなる半導体装置の製造方法において、少なくとも、上面より側面にかけて接続用電極が形成された半導体チップの、それぞれの接続用電極の相互を、各半導体チップの上面および側面にて接続するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/538
, H01L 21/60 311
