特許
J-GLOBAL ID：200903097141520953
基板上でのバンプ電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069282
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 セラミック基板上の電極パッドにバンプ電極を簡単にしかも確実に形成することができるようにする。【構成】 表面に電極パッドを設けたセラミック基板11上に重ねる凹版13に、両者の端面11a,13aを基準にして電極パッドの位置と対応する凹孔14を形成し、凹孔14に半田ペーストを充填した凹版13を裏返しにしてセラミック基板11上に端面11a,13aを合わせて重ね合わせ、この状態で半田ペーストを加熱溶融させた後、凹版13とセラミック基板11を分離すれば、セラミック基板11の電極パッド上にバンプ電極16を形成することができる。
請求項（抜粋）：
表面に電極パッドを設けた基板に重ねるために用意された凹版に両者の端面を基準にして電極パッドの位置と対応する凹孔を形成し、この凹版の凹孔内にバンプ電極形成材料を充填し、次に凹版を裏返して凹版と基板の端面を合わせ、基板を下にして凹版と基板を重ね合わせ、バンプ電極形成材料を加熱溶融させた後、凹版と基板を分離することにより電極パッド上にバンプ電極を形成することを特徴とする基板上でのバンプ電極の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
, H05K 3/24
, H05K 3/34
