特許

J-GLOBAL ID：200903097147918258

ペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法

発明者： 木島 健
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-117217
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295065
出願日： 2005年04月14日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】 電極層との界面が良好なペロブスカイト型酸化物層の製造方法、強誘電体メモリの製造方法および表面波弾性波素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物層の製造方法は、 基板10の上方に、ペロブスカイト型酸化物からなる第1の酸化物層22を形成する工程と、 前記第1の酸化物層22の上方に、前記第1の酸化物層22の結晶化温度より低い温度で結晶化されたペロブスカイト型酸化物層、および前記ペロブスカイト型酸化物と同じ元素を有するパイロクロア層の少なくとも1層からなる第2の酸化物層24を形成する工程と、 前記第2の酸化物層24の上方に、電極層30を形成する工程と、 熱処理を行う工程と、 を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上方に、ペロブスカイト型酸化物からなる第1の酸化物層を形成する工程と、 前記第1の酸化物層の上方に、前記第1の酸化物層の結晶化温度より低い温度で結晶化されたペロブスカイト型酸化物層、および前記ペロブスカイト型酸化物と同じ元素を有するパイロクロア層の少なくとも1層からなる第2の酸化物層を形成する工程と、 前記第2の酸化物層の上方に、電極層を形成する工程と、 熱処理を行う工程と、 を含む、ペロブスカイト型酸化物層の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (6件)：

H01L21/316 B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

Fターム (13件)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098486   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭62-128992