特許

J-GLOBAL ID：200903097149849822

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松下 重治 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120278
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316453
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 素子特性を向上させ、かつ素子特性の均一性および歩留りを向上させつつ自己整合的に形成可能な電極構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供することである。【構成】 n層2上にゲート下部層3を形成し、ゲート下部層3の両側面に絶縁膜からなる側壁部4をそれぞれ形成する。ゲート下部層3および側壁部4をマスクとしてイオン注入法によりn+ 層5a,5bを形成し、ゲート下部層3、側壁部4およびn+ 層5a,5bの全面に電極層6を形成する。電極層6上に絶縁膜7を形成し、絶縁膜7の側壁部分を除去した後、側壁部4の側面の電極層6をエッチングにより除去することによりオーミック電極6a,6bをゲート上部層6cから分離する。

請求項（抜粋）：

所定の半導体層上に第1の電極を形成し、前記第1の電極の両側面に絶縁膜からなる側壁部をそれぞれ形成し、前記第1の電極および前記側壁部の上面ならびに前記側壁部の側方の前記半導体層の領域上に第2の電極を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/40 Z ,  H01L 21/28 E ,  H01L 29/80 F