特許
J-GLOBAL ID：200903097153066611
機械的に頑丈な非晶質シリコン作像装置を製造する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208294
公開番号（公開出願番号）：特開平7-174858
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 シンチレータと障壁層との間に強力な接着力を有している機械的に頑丈な非晶質シリコン作像装置を製造する方法を提供する。【構成】 シンチレータ180と光センサ配列120との間に強力な接着力を有していると共に構造的な健全性を有している放射線作像装置100を製造する方法が、基板110上に光センサ配列120を形成する工程と、光センサ配列120の上に、窒化シリコンの上面を有している障壁層150を沈積する工程と、障壁層150の窒化シリコンの上面を処理して、その上に材料を沈積するためにこの面を調製する工程と、障壁層150の処理された上面の上にシンチレータ材料を沈積する工程とを含んでいる。障壁層150の窒化シリコンの上面は典型的には、反応性イオン・エッチングのように面をエッチングすることによって、選択された時間の間処理され、面から除去される材料は約500オングストローム未満である。
請求項（抜粋）：
シンチレータとその下方にある耐湿障壁層との間に強力な接着力を有している機械的に頑丈な非晶質シリコン作像装置を製造する方法であって、基板上に光センサ配列を形成する工程と、前記光センサ配列の上に、窒化シリコンで構成された上面を有している光センサ配列障壁を沈積する工程と、前記障壁層の窒化シリコン面の上に材料を沈積する前に、前記窒化シリコンの露出面を調製するように、前記障壁層の窒化シリコン面を処理する工程と、前記障壁層の窒化シリコン面の処理された面の上にシンチレータ材料を沈積する工程とを備えた機械的に頑丈な非晶質シリコン作像装置を製造する方法。
IPC (2件)：
G01T 1/20
, H01L 21/28 301
