特許

J-GLOBAL ID：200903097155119852

半導体装置

発明者： 松本 友孝 ,  長廣 紀雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031697
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240504
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタに関し,ポリシリコン膜の結晶性を改善し,トランジスタのオン電流の大きい良好な特性を得る。【構成】 1)絶縁基板 1上に硫化亜鉛膜 2とポリシリコン膜 3が順に堆積された構造を有し, 該硫化亜鉛膜 2が六方晶を含む,2)前記硫化亜鉛膜 2が六方晶が(001) 方向に配向している,3)前記硫化亜鉛膜 2の膜厚が 150nm以上である,4)前記ポリシリコン膜 3が(111) 方向に配向している,5)前記ポリシリコン膜 3を活性層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁基板(1) 上に硫化亜鉛膜(2) とポリシリコン膜(3)が順に堆積された構造を有し,該硫化亜鉛膜(2) が六方晶を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Q ,  H01L 29/78 311 Y