特許

J-GLOBAL ID：200903097155287020

半導体装置の製造方法

発明者： 阿部 竜一郎 ,  浜原 弘也 ,  大島 久純 ,  小野田 邦広
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318402
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181220
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】同一半導体基板上の同一配線中にn型ゲートとp型ゲートを形成する場合の製造コストを低減する。【構成】半導体基板11上に絶縁膜12を形成し、ポリシリコン膜13を堆積する。その後、全面にBSG膜14を堆積し、p型ゲート形成予定領域以外のBSG膜14をエッチングする。その後、BSG膜14とフォトレジスト15をマスクとしてn型ゲート形成予定領域のみにPをイオン注入する。その後、フォトレジスト15を除去し、熱処理により、BSG膜14からその直下のポリシリコン膜13中へBを固相拡散させ、p型ゲート131を形成する。この時、同時に、イオン注入により導入されたPが電気的に活性化し、n型ゲート132が形成される。次に、残ったBSG膜14を全て除去する。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上の配線中にn型領域とp型領域とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に絶縁膜を介してシリコン膜を堆積する工程と、前記シリコン膜上にp型不純物を含む硅化ガラスを全面に堆積する工程と、前記シリコン膜でp型にする領域のみに前記硅化ガラスを残す工程と、この工程後、前記シリコン膜でn型にする領域のみに前記硅化ガラスをマスクとして前記シリコン膜中にn型不純物を導入し、かつ前記硅化ガラス直下の前記シリコン膜中にp型不純物を固相拡散する工程と、前記シリコン膜上に残った前記硅化ガラスを除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/266

FI (3件)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/265 M ,  H01L 27/08 321 N