特許

J-GLOBAL ID：200903097157426647

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： もたい 貴子 ,  清利 正弘 ,  江口 和弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041492
公開番号（公開出願番号）：特開平11-236675
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 BST等の高誘電体薄膜の形成に用いるCVD装置で、薄膜形成基板以外で原料ガスが分解、凝縮、附着し、材料効率を下げ、ダスト発生源となる。【解決手段】 抵抗加熱ヒーターと共に高周波加熱ヒーターを有するCVD装置。薄膜形成基板のみを高周波で加熱することにより、選択的に高温にして薄膜を形成する。他の部分は抵抗加熱ヒーターで低温に予備加熱するのみとすることで、周辺部への附着を防止し、ダスト発生等を防止する。

請求項（抜粋）：

薄膜を形成すべき基板を収納する反応容器と、前記反応容器内に反応ガスを供給するガス供給機構と、前記反応容器から反応ガスを排出するガス排出機構と、前記反応容器内を加熱する加熱機構とを具備し、前記加熱機構が抵抗加熱機構と高周波加熱機構とを具備していることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5件)：

C23C 16/46 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

C23C 16/46 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/312 N