絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255211
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107263
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】斜め研磨したサブストレート上に成長したエピタキシャル層に形成されたMIS(金属-絶縁膜-半導体)構造を持つ絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置の特性および特性のバラツキを改善する。【解決手段】(0001)面を主面とし、<11-20>方向のオフアングルをもつ炭化ケイ素のp<SP>+ </SP>サブストレート1上に成長したpエピタキシャル層2の表面層にnソース領域3の境界およびnドレイン領域4の境界の主要部が、オフアングルの方向に対してほぼ平行をなすように、nソース領域3とnドレイン領域4とが形成される。そして、両領域間のpエピタキシャル層2上にゲート絶縁膜5を介してゲート電極層6が設けられ、ソース電極7、ドレイン電極8、ゲート電極9をもつMOSFETが形成される。ゲート電極層6直下に誘起されるチャネル10を流れる電流のキャリアが、pエピタキシャル層2の表面層の微小ステップを横切る確率が減少し、移動度が改善されて、オン抵抗の低い炭化ケイ素半導体装置となる。

請求項（抜粋）：

オフアングルをもつ炭化ケイ素サブストレート上にエピタキシャル層が形勢され、その上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層を有し、該ゲート電極層直下にチャネル形成領域を有する絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置において、チャネルを流れる電流の方向と、オフアングルの方向とがほぼ直角をなすことを特徴とする絶縁ゲート型炭化ケイ素半導体装置。

前のページに戻る