特許
J-GLOBAL ID：200903097162076697
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140724
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置に関し、活性層と金属膜間の電流阻止層で減衰される光を小さくすることができるとともに、反射して活性層へ戻る光の反射角を大きくしてフォトンリサイクリングの効率を向上させることができ、発振しきい値電流を十分小さくして低消費電力化を十分達成することができる半導体発光装置を提供することを目的としている。【構成】 活性層3側面で、かつ光共振器方向に電流阻止層5,6,8が形成され、該電流阻止層5,6,8側面で、かつ光共振器方向に溝10が形成され、該溝10内に該電流阻止層5,6,8と電気的に分離する絶縁膜11を介して該活性層3から放出される光を反射する金属膜12が充填されてなるように構成する。
請求項（抜粋）：
活性層(3)側面で、かつ光共振器方向に、電流阻止層(5,6,8)が形成され、該電流阻止層(5,6,8)側面で、かつ光共振器方向に溝(10)が形成され、該溝(10)内に該電流阻止層(5,6,8)と電気的に分離する絶縁膜(11)を介して該活性層(3)から放出される光を反射する金属膜(12)が充填されてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
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