ゾル-ゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-079216
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277082
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】ゾルーゲル法において、強誘電体膜の結晶配向性を制御し、優れた電気的特性を示し、クラックがなく、厚膜化が容易な強誘電体膜を提供する。【解決手段】強誘電体膜の構成金属元素の有機金属化合物とアルカノールアミン及びβ-ジケトンの一方又は双方を含有する安定剤と溶剤とを含む原料溶液をシリコン基板上に塗布し、上記塗布された原料溶液を上記溶剤の沸点よりも高く上記安定剤の沸点よりも低い温度で乾燥させて乾燥ゲル膜を形成し、上記乾燥ゲル膜を焼結してペロブスカイト結晶を含む1000Å以下の膜厚の強誘電体膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体膜の構成金属元素の有機金属化合物とアルカノールアミン及びβ-ジケトンの一方又は双方を含有する安定剤と溶剤とを含む原料溶液をシリコン基板上に塗布する工程と、上記塗布された原料溶液を上記溶剤の沸点よりも高く上記安定剤の沸点よりも低い温度で乾燥させて乾燥ゲル膜を形成する工程と、上記乾燥ゲル膜を焼結してペロブスカイト結晶を含む1000Å以下の膜厚の強誘電体膜を形成する工程とを有するゾル-ゲル法による強誘電体膜の形成方法。

IPC (7件)：

C04B 35/49 , C01G 25/00 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01G 4/12 , H01G 4/33

FI (6件)：

C04B35/49 A , C01G25/00 , H01L27/10 444C , H01L27/10 651 , H01G4/12 400 , H01G4/06 102

Fターム (42件)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA10 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE08 , 5E001AB06 , 5E001AE03 , 5E001AH01 , 5E001AH05 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ02 , 5E082AB01 , 5E082BB10 , 5E082BC39 , 5E082EE05 , 5E082EE27 , 5E082EE37 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5E082FG46 , 5E082FG54 , 5E082PP06 , 5E082PP09 , 5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR23 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (7件)

ペロブスカイト型酸化物薄膜及びペロブスカイト類似型酸化物薄膜並びにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-020775 出願人：出光興産株式会社
特開平1-286922
特開平4-214071

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