特許
J-GLOBAL ID：200903097165656740
モールド型半導体レーザ装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290119
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129731
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザチップ8の部分を、合成樹脂製の封止材11,12にて封止する場合において、前記半導体レーザチップにおける性能の劣化、及び金属線の切断が発生しないようにする。【構成】 前記半導体レーザチップ8をマウントする支持板5に、前記半導体レーザチップ8を囲う枠型に形成した合成樹脂製の枠体6をトランスフア成形によって一体的に成形し、この枠体6内に、前記合成樹脂製の封止材を、液体の状態で流し込み注入する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザチップをマウントする支持板及び前記半導体レーザチップに対する各リード端子の部分に、前記半導体レーザチップを囲うように枠型に形成した合成樹脂製の枠体をトランスフア成形によって一体的に成形し、次いで、支持板に対する前記半導体レーザチップのマウント及びワイヤーボンディングを行い、次に、前記枠体のうち前記半導体レーザチップにおける前方劈開面と対向する部分にガラス板等の透明板を固着し、そして、前記枠体の内部に、前記半導体レーザチップに対する合成樹脂製の封止材を液体の状態で流し込み注入したのち硬化することを特徴とするモールド型半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/56
, H01L 23/08
