特許

J-GLOBAL ID：200903097179201339

半導体装置の製造方法

発明者： 指田 暢幸 ,  番場 敏夫 ,  山本 光弘
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300688
公開番号（公開出願番号）：特開平5-134406
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 (A)式(1)で示されるポリアミド酸エステル、(B)式(2)で示されるN-フェニルグリシン及びその誘導体、(C)チオール化合物類を必須成分とする感光性樹脂組成物を、半導体素子表面に2〜30μmの膜厚で付着させ、365nmの単色光露光機又はI線ステッパーで露光、現像してパターンを形成し、次いで300°C以上450°C以下で加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。【化1】【化2】【効果】 I線光に優れた感光特性、特に良好な感度を有する感光性樹脂を半導体装置上に付着させ、I線ステッパーにて露光することにより、従来にない高スループットで高解像度な耐熱性感光性樹脂パターンを容易に作成することができる。

請求項（抜粋）：

(A)式(1)で示されるポリアミド酸エステル、(B)式(2)で示されるN-フェニルグリシン及びその誘導体、(C)チオール化合物類を必須成分とする感光性樹脂組成物を、半導体素子表面に2〜30μmの膜厚で付着させ、365nmの単色光露光機又はI線ステッパーで露光、現像してパターンを形成し、次いで300°C以上450°C以下で加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。【化1】【化2】

IPC (7件)：

G03F 7/027 514 ,  C08G 73/10 NTF ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/031 ,  G03F 7/038 504 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-154262
  
• 特開平3-170551
  
• 特開平3-170549