特許

J-GLOBAL ID：200903097185754544

荷電粒子ビーム装置

発明者： 上田 耕司 ,  細野 一史
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153410
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、荷電粒子ビームを半導体集積回路の表面に掃引照射し、その照射した点毎に発生する2次電子を検出して分析し、半導体集積回路を解析する荷電粒子ビーム装置において、照射面積を変えても、半導体集積回路の表面の帯電量を最小にし、しかも常に荷電粒子ビームの焦点が合っている荷電粒子ビーム装置を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するために、本発明は、照射面積を変えるとき、2次電子引出電界強度を最適値にして表面帯電量を最小にするよう引出電極の電圧を変更し、その電圧変更に連動して対物レンズのコイル電流を制御し、荷電粒子ビームの焦点が合うような構成とする。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを半導体集積回路の表面に掃引照射し、照射点毎に発生する2次電子を検出して半導体集積回路を解析する荷電粒子ビーム装置において、掃引する照射面積の変更に連動して2次電子引出電極(106)の電圧を変更する引出電極用制御電圧源(40)と、引出電極用制御電圧源(40)の電圧変更に連動して対物レンズ(105)のコイル電流を制御する電流制御部(50)と、電流制御部(50)の指示により対物レンズ(105)のコイル電流を変更する対物レンズ電流源(60)と、を具備することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。

IPC (5件)：

H01J 37/28 ,  H01J 37/141 ,  H01J 37/21 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/66