特許

J-GLOBAL ID：200903097186511521

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石井 敦司 ,  山口 澄夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181212
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 バリア性が高くかつTiN膜剥離に対する耐性が高いバリアメタルを有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 コリメーションスパッタ法により形成したTi膜を大気に晒すことなくアニール処理を行って窒化TiN膜23を形成し、その上に反応性スパッタ法により反応性スパッタTiN膜24を形成して、窒化TiN膜23と反応性スパッタTiN膜24からなる2層構造のバリアメタル26を形成する。未反応TiがないのでWF6 と反応せずTiN膜剥離が防げ、2層構造なのでバリア性が高まる。また、窒化TiN膜23を酸素処理して結晶粒界に酸素が析出させてさらにバリア性を高めてもよい。

請求項（抜粋）：

コリメーションスパッタ法によりTi膜を形成するステップと、前記Ti膜形成ステップに連続して大気に晒すことなく真空下で前記Ti膜をアニール処理を行い窒化TiN膜を形成するステップと、前記窒化TiN膜の上に反応性スパッタ法により反応性スパッタTiN膜を形成し前記窒化TiN膜と前記反応性スパッタTiN膜からバリアメタルを形成するステップと、メタルCVD法によりプラグを形成するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285