特許

J-GLOBAL ID：200903097190754480

薄膜半導体装置およびその製造方法

発明者： 宮坂 光敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012264
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206464
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの特性を向上させ、プロセスを低温化させる。【構成】 MIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置において、チャネル領域の半導体膜は、少なくとも二種類の異なった薄膜を有する部分により形成されている。したがって他の薄い部分によって十分なオン/オフ比が確保される。そして、ソース領域2Sおよびドレイン領域2Dが厚くされることで、低温での十分な活性化が可能になる。また、半導体薄膜2の厚い部分と薄い部分を共に被覆するようゲート電極が設けられ、これをマスクとしてソース領域2Sおよびドレイン領域2Dを形成するイオン注入がされるので、二種類の薄厚の半導体膜2にチャネル領域2Cが形成できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性物質である基板の一方面上に、ドナーまたはアクセプタとなる不純物を含むソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域を結ぶチャンネル領域とを構成する半導体膜と、少なくとも該チャンネル領域を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備したMIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置において、該チャンネル領域の半導体膜は、少なくとも二種類の異なった膜厚を有する部分により形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-005572
  
• 特開平2-280381
  
• 特開昭60-186063