特許

J-GLOBAL ID：200903097191059491

スパッタリングタ-ゲット組立体及びその製造方法

発明者： 山越 康廣 ,  宮下 博仁
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 今井 毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122345
公開番号（公開出願番号）：特開平9-287072
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【目的】 スパッタリング時における付着膜の剥離を効果的に防止してパ-ティクル発生を抑えることができ、かつマイクロア-キングを生じる等といった問題を伴うことのないスパッタリングタ-ゲット組立体を提供する。【構成】 スパッタリングタ-ゲット組立体を、スパッタリングタ-ゲット部1及びバッキングプレ-ト部2の少なくとも側面(1′,2′)が直径 500μm以下の球面状くぼみの集合体で構成される粗面とされ、かつ該粗面の中心線平均粗さRa が 1.0〜10.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が10.0μm以上に調整されて成る構成とする。なお、その製造には、スパッタリングタ-ゲット組立体のスパッタリングタ-ゲット部及びバッキングプレ-ト部の少なくとも側面を直径 500μm以下の球状ブラスト材にてブラスト処理し粗面化する方法が適している。

請求項（抜粋）：

スパッタリングタ-ゲット部及びバッキングプレ-ト部の少なくとも側面が直径 500μm以下の球面状くぼみの集合体で構成される粗面とされ、かつ該粗面は中心線平均粗さRa が 1.0〜10.0μmで、表面粗さ曲線の平均山間隔(Sm値)が10.0μm以上に調整されて成ることを特徴するスパッタリングタ-ゲット組立体。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/203 S