特許

J-GLOBAL ID：200903097191237055

太陽電池の製造方法

発明者： 古沢 昌宏 ,  関 俊一 ,  宮下 悟 ,  下田 達也 ,  湯田坂 一夫 ,  松木 安生 ,  竹内 安正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社 ,  ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001989
公開番号（公開出願番号）：WO2000-059044
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月05日
要約：

【要約】一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、少なくとも一層の半導体薄膜の形成が、ケイ素化合物を含有する液体のコーティング組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成する工程と、次に該塗布膜を熱処理および/または光処理してシリコン膜にする工程と、からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、少なくとも一層の半導体薄膜の形成が、ケイ素化合物を含有する液体のコーティング組成物を基板上に塗布して塗布膜を形成する工程と、次に該塗布膜を熱処理および/または光処理してシリコン膜にする工程と、からなることを特徴とした太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 31/04 V ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 31/04 B