特許
J-GLOBAL ID：200903097192869420
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-358122
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122841
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 消費電流が小さく、メモリトランジスタのしきい値電圧のバラツキが小さな不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 このフラッシュメモリでは、書込対象のメモリトランジスタ1のしきい値電圧VTを検出し、その検出値に基づいて書込パルス信号のパルス電圧VPの初期値を設定し、書込パルス信号を印加する毎にパルス電圧VPをステップ電圧ΔVずつ上昇させる。したがって、一定のパルス電圧を印加していた従来に比べ、メモリトランジスタ1のドレイン電流IDを小さくすることができ、しきい値電圧VTのバラツキを小さくすることができる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体記憶装置であって、
半導体基板のウェル領域の上方に順次形成されたフローティングゲートおよびコントロールゲートを有し、そのしきい値電圧が第1の電圧に設定されることによって第1の論理レベルのデータ信号を記憶し、そのしきい値電圧が前記第1の電圧よりも高い第2の電圧に設定されることによって第2の論理レベルのデータ信号を記憶するメモリトランジスタ、
前記メモリトランジスタのしきい値電圧を検出する第1の検出回路、
前記メモリトランジスタのドレインおよびソース間に所定の電圧を与えるとともに前記コントロールゲートおよび前記ウェル領域間にパルス信号列を与え、前記メモリトランジスタのしきい値電圧を前記第1の電圧から前記第2の電圧に上昇させる書込回路、および
前記第1の検出回路の検出結果に基づいて前記パルス信号列の振幅電圧の初期値を設定するとともに、前記パルス信号列の振幅電圧を所定の上昇率で上昇させる制御回路を備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AE06
, 5B025AE08
