半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112158
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】微細化されたSi系半導体領域に低抵抗の金属シリサイドを形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】金属シリサイド層形成工程として、Arをイオン注入することによってn+拡散層12およびゲート電極13の表面にAr注入層15を形成する工程と、全面にチタン膜16を形成する工程と、n+拡散層12およびゲート電極13とチタン膜16との界面にアニールにより準安定な金属シリサイド相であるTiSi2 (C49)膜17を形成する工程と、TiSi2 (C49)膜17とならなかった部分からなる混合層18を選択的に除去する工程と、アニールによりTiSi2 (C49)膜17に相転移を生じさせてTiSi2 (C54)膜19を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

シリコン系半導体領域上に金属シリサイド層を形成する金属シリサイド層形成工程を含む半導体装置の製造方法であって、この金属シリサイド層形成工程が、前記シリコン系半導体領域の全面に金属層を形成する金属層形成工程と、前記シリコン系半導体領域と前記金属層とを反応させることにより準安定な相の金属シリサイド層を形成する反応工程と、前記金属層のうち、前記反応工程で前記金属シリサイド層とならなかった部分を除去する金属除去工程と、金属除去後の前記金属シリサイド層に熱処理を施して相転移を起こさせる熱処理工程と、前記金属層形成工程の前、または、この金属層形成工程の後で前記熱処理工程の前に行われる、イオン注入工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-240017
特開平1-179415
特開平3-196561

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