特許
J-GLOBAL ID：200903097200252062
高品位チタンサファイア単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018387
公開番号（公開出願番号）：特開平5-186297
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：
【要約】【構成】2価又は3価のチタンを含む溶融原料を用い、溶融系内の酸素分圧を10-7〜10-13atmに保ち、ヘリウムガスをキャリアガスとして用いて、単結晶と溶融液との固液界面を平面状に保ちながら、引上げ法によって3価のチタンをドープしたチタンサファイア単結晶を製造する方法。【効果】この方法は、気泡の混入が抑制され、転位密度、屈折率差が小さい光学的に均質な高品位チタンサファイア単結晶を得る。
請求項（抜粋）：
溶融原料からの引上げ法による3価のチタンをドープしたサファイア単結晶の製造方法において、チタン原料として2価のチタン酸化物又は3価のチタン酸化物を用い、10-7〜10-13atmの酸素分圧下で単結晶を成育させることを特徴とするチタンサファイア単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
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