特許

J-GLOBAL ID：200903097206791674

半導体レーザ装置

発明者： 野一色 慶夫 ,  米山 裕文
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053597
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 適正なボンディング強度を確保して寿命の長い、かつ副出射光による受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置を提供するものである。【構成】 位置決め手段を有する第1のリード上に載置された受光素子と、受光素子上に又は前方の第1のリード上に載置され受光素子の受光面より高い位置にある光軸中心線を有し前方に主出射面を有する半導体レーザ素子を設ける。半導体レーザ素子の後面近傍から受光素子の表面に形成された受光面までを覆う透光性樹脂と、第1のリードと離れて配置された第2のリードを設ける。第1、第2のリードの周辺に形成された絶縁枠と、半導体レーザ素子と第2のリードを接続する金属細線を設ける。金属細線が接続される第2のリードの高さと半導体レーザ素子の高さを略同じに設け、第2のリードを光軸中心線に対して左又は右に配置する。

請求項（抜粋）：

位置決め手段を有する第1のリード上に載置された受光素子と、その受光素子上に又はその前方の前記第1のリード上に載置されかつ前記受光素子の受光面より高い位置にある光軸中心線を有しかつ前方に主出射面を有する半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の後面近傍から前記受光素子の表面に形成された受光面までを覆う透光性樹脂と、前記第1のリードと離れて配置された第2のリードと、前記第1、第2のリードの周辺に形成された絶縁枠と、前記半導体レーザ素子と前記第2のリードを接続する金属細線とを具備し、前記金属細線が接続される前記第2のリードの高さと前記半導体レーザ素子の高さが略同じであり、かつ前記第2のリードが前記光軸中心線に対して左又は右に配置されている事を特徴とする半導体レーザ装置。