半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380546
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188475
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】埋込樹脂内の気泡の発生を低減できる半導体メサの埋込構造を有する半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子1aは、半導体メサ部12,52と、樹脂埋込部24とを備える。半導体メサ部12,52は、所定の波長の光が伝搬可能な光導波路を有する。樹脂埋込部24は、半導体メサ部12,52を埋め込むように設けられBCB樹脂を含む。半導体メサ部12,52の光導波路は、III-V系化合物半導体を含む活性層6,46を備える。活性層6,46は、第1導電型III-V系化合物半導体を含む半導体部8,48と第2導電型III-V系化合物半導体を含む半導体部10,50との間に配置されている。活性層6,46は、光を発生するために利用されることができ、または光を変調するために利用されることができる。半導体素子1aは、パッド電極30,60を更に備える。

請求項（抜粋）：

2μm以上の高さを有するように設けられIII-V系化合物半導体を含む半導体メサ部と、前記半導体メサ部を埋め込むように設けられビスベンゾシクロブテン樹脂を含む樹脂埋込部とを備える半導体素子。

IPC (5件)：

H01S 5/227 , G02B 6/122 , G02B 6/13 , G02F 1/025 , H01L 21/312

FI (5件)：

H01S 5/227 , G02F 1/025 , H01L 21/312 A , G02B 6/12 B , G02B 6/12 M

Fターム (24件)：

2H047KA04 , 2H047LA01 , 2H047MA07 , 2H047NA02 , 2H047PA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H047QA05 , 2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079EA03 , 2H079EA07 , 5F058AA10 , 5F058AB01 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH06 , 5F073AA22 , 5F073CB11

引用特許：

審査官引用 (7件)

光半導体装置及びその製造方法並びに光通信装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-330202 出願人：日本電気株式会社
半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-280132 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-280490

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