半導体記憶装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056612
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246409
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 2層以上のゲート電極構造の上層ゲートに、ポリシリコンと高融点金属またはそのシリサイドとの複合構造のゲート電極を用いる半導体記憶装置において、熱処理時の応力集中により、高融点金属またはそのシリサイド層表面凹部のクラック発生を防止する。【解決手段】高融点金属またはそのシリサイド層を堆積させる前に、その下層のポリシリコンを下地の凹凸によらず平坦化することにより、高融点金属またはそのシリサイド層を平坦に堆積させ、熱処理時発生する応力の集中箇所の発生を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記絶縁膜上に一定の間隔をおいて配置された第1の導電層と、前記半導体基板及び前記第1の導電層上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の導電層と、前記第2の導電層上に形成された高融点金属層を含む配線層とを具備し、前記第2の導電層上部は下地の構造にかかわらず平坦な形状を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-005865
特開平1-181469
特開昭56-122129

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