特許

J-GLOBAL ID：200903097210822347

半導体気相成長装置

発明者： 吉川 清 ,  佐藤 満雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167231
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013338
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、気相成長膜の品質を向上させ、作業性、生産性ならびに安全性に優れた半導体気相成長装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、気密封止される反応炉と、前記反応炉と着脱自在に接合されて、導入される反応ガスにより半導体基板上に気相成長膜を形成する成長室を前記反応炉内に形成するベルジャと、前記成長室内に設けられ、半導体基板を加熱する抵抗ヒータを備え、半導体基板が配置されるサセプタを載置して回転させる載置回転機構と、前記ベルジャと前記反応炉とを前記反応炉を気密状態で昇降着脱させる昇降機構と、前記サセプタが開閉体を介して外部と搬出入される予備室と、前記予備室と前記反応炉とをそれぞれ気密状態で連通制御するバルブと、前記載置回転機構と前記予備室との間で前記サセプタを搬送する搬送アームとからなる。

請求項（抜粋）：

気密封止される反応炉と、前記反応炉と着脱自在に接合されて、導入される反応ガスにより半導体基板上に気相成長膜を形成する成長室を前記反応炉内に形成するベルジャと、前記成長室内に設けられ、半導体基板を加熱する抵抗加熱体を備え、半導体基板が配置されるサセプタを載置して回転させる載置回転手段と、前記反応炉を気密させた状態で前記ベルジャと前記反応炉とを着脱させる着脱手段と、前記サセプタが開閉体を介して外部と搬出入される予備室と、前記予備室と前記反応炉とをそれぞれ気密状態で連通制御する連通手段と、前記載置回転手段と前記予備室との間で前記サセプタを搬送する搬送手段とを有することを特徴とする半導体気相成長装置。