特許

J-GLOBAL ID：200903097212761590

多重トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果素子、磁気センサおよび磁気記録センサヘッド

発明者： 佐藤 俊彦 ,  中谷 亮一 ,  稲葉 信幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221501
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068192
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 室温で動作可能にする。【解決手段】 絶縁体層からなる基板11上に軟磁性体材料からなる第1の軟磁性体層210を形成し、基板11、軟磁性体層210上に絶縁層350を形成し、軟磁性体層210上の絶縁層350により囲まれた領域に誘電体薄膜からなる第1、第2のトンネルバリア層310、311を形成し、トンネルバリア層310とトンネルバリア層311との間に粒径が10nm以下の強磁性体材料からなる強磁性体微粒子110を設け、トンネルバリア層311上に軟磁性体材料からなる第2の軟磁性体層211を形成する。

請求項（抜粋）：

平面基板上に軟磁性体材料、強磁性体材料の一方からなる第1の磁性体層を形成し、上記第1の磁性体層上に第1、第2のトンネルバリア層を形成し、上記第1、第2のトンネルバリア層間に軟磁性体材料、強磁性体材料の他方からなる磁性体微粒子を設け、上記第2のトンネルバリア層上に軟磁性体材料、強磁性体材料の一方からなる第2の磁性体層を形成したことを特徴とする多重トンネル接合。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/035 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/035 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R