特許

J-GLOBAL ID：200903097212807469

薄膜熱電半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉田 隆 ,  長坂 雄次 ,  中里 典生 ,  藤枝 信男 ,  須藤 公彦
出願人/特許権者： 財団法人名古屋産業科学研究所
代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-068809
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259944
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 大量に、歩留まり良く、安価に製造可能で、薄膜形成面に対して垂直方向に熱を伝達・移動可能な薄膜熱電半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 多数の薄膜熱電半導体素子を半導体基板100上に形成してなる薄膜熱電半導体装置は、各熱電半導体素子を構成するP型熱電半導体薄膜140とN型熱電半導体薄膜150とを、基板表面上に形成した空洞部110、110を挟んで対向して形成し、かつ、その間に凸部130を形成し、その表面を覆うように接合部131を形成し、かつ、これら熱電半導体素子を基板上に直列に接続されており、所定の直流電圧を印加して電極に電流を流すことにより、基板表面の薄膜形成面に対して垂直方向に熱を伝達する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の薄膜熱電半導体素子を基板上に形成してなる薄膜熱電半導体装置において、各薄膜熱電半導体素子を構成するP型熱電半導体とN型熱電半導体とを、前記基板表面上に形成した空洞部を跨いでその表面上に薄膜形成し、かつ、隣接する前記P型熱電半導体薄膜とN型熱電半導体薄膜との間に凸部を形成し、当該凸部の表面の一部を覆うように、前記P型熱電半導体薄膜とN型熱電半導体薄膜との間の接合部を形成し、前記基板表面上における前記P型熱電半導体とN型熱電半導体の薄膜形成面に対して垂直方向に熱を伝達可能であることを特徴とする薄膜熱電半導体装置。

IPC (3件)：

H01L35/32 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

FI (3件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 熱電装置および熱電装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-170349   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜熱電変換素子及びそれを用いた半導体デバイス及びそれを用いたプリント基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-105557   出願人：シャープ株式会社