半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077050
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】素子の微細化を進めても電気的特性の劣化を招くことなく、ソース/ドレイン拡散層上にCoSi2 膜を形成すること【解決手段】基板温度を100°C以下の低温に保った状態で、シリコン基板11に砒素イオンを注入した後、熱処理を行ってソース/ドレイン拡散層16を形成する。次にソース/ドレイン拡散層16上にコバルト膜19を堆積した後、熱処理を行ってCoSi2 膜23を形成する。このとき、上記熱処理を2回に分けて行う。最初の熱処理を400°C以上500°C以下で行ってCoSi膜22を形成し、次の熱処理を800°C以上900°C以下で行ってCoSi膜22をCoSi2 膜23に変える。

請求項（抜粋）：

シリコン領域の温度を-100°C以下に保った状態で、前記シリコン領域に不純物イオンを注入した後、前記シリコン領域に熱処理を施すことによって、不純物拡散領域を形成する工程と、前記不純物拡散領域の表面にシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/26 F , H01L 21/265 602 B , H01L 29/78 301 P

Fターム (22件)：

4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB23 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH04 , 5F040DA20 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF02 , 5F040EF09 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC19

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-070095 出願人：ソニー株式会社
コバルトシリサイド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202661 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032977 出願人：ソニー株式会社

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