特許

J-GLOBAL ID：200903097217100061

ウエハ洗浄方法

発明者： 川副 公之 ,  山下 純一 ,  松崎 順一 ,  林 健郎
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401069
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203824
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 短時間で確実にウエハ表面のパーティクルの低減を図る。【解決手段】 仕上げ研磨後の半導体ウエハの表面を洗浄するウエハ洗浄方法において、オゾン水洗浄により、複数の層からなる酸化膜を形成する第1オゾン水洗浄工程と、第1オゾン水洗浄工程後のウエハ表面をブラシ洗浄する機械的洗浄工程と、ウエハ表面に形成された酸化膜を、フッ酸溶液洗浄によりウエハ表面側の一層のみを残して剥離するフッ酸溶液洗浄工程と、フッ酸溶液洗浄終了後のウエハ表面に対し、更にオゾン水洗浄により酸化膜を形成する第2オゾン水洗浄工程とを含む。

請求項（抜粋）：

仕上げ研磨後の半導体ウエハの表面に対し、オゾン水洗浄により、複数の層からなる酸化膜を形成する第1オゾン水洗浄工程と、フッ酸溶液洗浄により、ウエハ表面に形成された酸化膜をウエハ表面側の層を残して剥離するフッ酸溶液洗浄工程と、フッ酸溶液洗浄終了後のウエハ表面に対し、更にオゾン水洗浄により酸化膜を形成する第2オゾン水洗浄工程と、を含むことを特徴とするウエハ洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/308

FI (2件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/308 G

Fターム (7件)：

5F043AA31 ,  5F043BB27 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10