特許
J-GLOBAL ID：200903097227948433
気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219157
公開番号（公開出願番号）：特開平9-067192
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法を用いてGaN系半導体薄膜を成長させる場合において、均質で良質な単結晶薄膜成長ウエハーを一度に多数枚成長させることができ量産性に優れた装置を提供する。【解決手段】 サセプター6上に基板12を複数枚設置し、III族とV族の反応ガスを各基板12毎に基板12近傍に開口して導く反応ガス導入管5a,5bを設け、さらにサセプター6の中央部に反応ガスを排気する排気口7を設けている。それに加えて反応ガスが排気口7にスムーズに排気されるように仕切板や反応ガスガイド板などを設けてもよい。
請求項（抜粋）：
有機金属化学気相成長法を用いて、基板上にGaN系半導体結晶薄膜を成膜する気相成長装置において、該基板を保持する基板保持手段を反応管内に設け、該基板保持手段で保持された該基板近傍に開口して反応ガスを導く反応ガス導入管を該反応管の側面に設け、該基板保持手段上の中央部に反応ガス排気用の排気口を設けた気相成長装置。
IPC (5件)：
C30B 25/14
, C23C 16/44
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, H01S 3/18
C30B 25/14
, C23C 16/44 D
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, H01S 3/18
