特許
J-GLOBAL ID:200903097228061033

熱電変換材料とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池条 重信 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-063088
公開番号(公開出願番号):特開2000-261044
出願日: 1999年03月10日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 Siに種々の添加元素を20原子%以下含有させた新規なSi系熱電変換材料が有する高いゼーベック係数を有し、電気伝導度を損なうことなく、熱伝導率をさらに低下させて高性能化、あるいはさらにゼーベック係数を向上させる。【解決手段】 所要組成のSi系材料の粉末を得て、これを焼結し、Siリッチ相の粒界に添加元素のリッチ相を分散させた組織となすことにより、ゼーベック係数が極めて大きくかつ熱伝導率が小さくなり、熱電変換効率を著しく高めることが可能で、資源的に豊富なSiが主体で環境汚染が極めて少ない焼結体からなる多結晶Si系熱電変換材料を得る。
請求項(抜粋):
Siに、P型半導体又はN型半導体となすための添加元素を、単独又は複合にて0.001原子%〜20原子%含有し、Siが主体となるSiリッチ相の粒界に前記添加元素のリッチ相が形成された組織を有する焼結体からなる熱電変換材料。
IPC (4件):
H01L 35/14 ,  C22C 1/10 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
FI (4件):
H01L 35/14 ,  C22C 1/10 J ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34
Fターム (5件):
4K020AA21 ,  4K020AC07 ,  4K020AC09 ,  4K020BA02 ,  4K020BB29
引用特許:
審査官引用 (2件)

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