特許

J-GLOBAL ID：200903097235776293

窒化アルミニウム基板及び回路基板

発明者： 蔭山 俊之 ,  中村 美幸 ,  内野 紘一 ,  宮井 明
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-237973
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 熱サイクル等によって生じる熱応力に対して十分な耐久性をもった窒化アルミニウム基板とパワーモジュール用回路基板の提供。【構成】 平均粒径が3〜4.5μm、粒径10μm以上の粗大粒子が15〜30%であることを特徴とする窒化アルミニウム基板、及びこの窒化アルミニウム基板の一方の面に銅回路、他方の面には銅製放熱板が形成されてなることを特徴とするパワーモジュール用回路基板。

請求項（抜粋）：

平均粒径が3〜4.5μm、粒径10μm以上の粗大粒子が15〜30%であることを特徴とする窒化アルミニウム基板。

IPC (4件)：

C04B 35/626 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03

FI (2件)：

C04B 35/58 104 R ,  H01L 23/14 C