特許

J-GLOBAL ID：200903097236596795

絶縁膜の形成方法

発明者： 井澤 秀雄 ,  綿谷 公秀 ,  森本 弘
出願人/特許権者： 株式会社ジーティシー
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027051
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235530
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 有機シランガスを用い、プラズマCVD法により、良好な膜質、特に優れた電気特性を有する絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】 有機シランガスを用い、プラズマCVD法によって基板上に絶縁膜を形成する方法において、フッ素を構成元素に含むガスを処理槽内に供給し、高周波電力を印加し、プラズマ放電を起こすプラズマ処理工程を施した後、絶縁膜を形成する絶縁膜堆積工程を施すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

有機シランガスを用い、プラズマCVD法によって基板上に絶縁膜を形成する方法において、フッ素を構成元素に含むガスを処理槽内に供給し、高周波電力を印加し、プラズマ放電を起こすプラズマ処理工程を施した後、絶縁膜を形成する絶縁膜堆積工程を施すことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-296626
  
• 特開平4-110471
  
• 特開昭63-053929