特許

J-GLOBAL ID：200903097246916593

結晶構造歪による固体電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物

発明者： 池田 伸一 ,  白川 直樹 ,  小池上 繁 ,  柳澤 孝 ,  小池 聡 ,  吉田 良行 ,  長井 一郎
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234746
公開番号（公開出願番号）：特開2004-075415
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】遷移金属酸化物、ペロブスカイト並びに層状ペロブスカイト酸化物、超LSI、高温超伝導、スイッチング、強誘電体メモリーなどに利用することができる結晶構造歪による固体電子物性の制御方法、及び該方法により得られた酸化物を提供する。【解決手段】本発明の結晶歪による固体電子物性の制御方法は、金属元素Mと6つの酸素OからなるMO6八面体から構成されるペロブスカイト型酸化物又はその類縁の酸化物におけるMO6八面体どうしの相対的な配置を、圧力印加、磁場印加、電場印加、薄膜化、或いは元素置換により調節することによって電気伝導性や磁性などの電子状態を制御する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

金属元素Mと6つの酸素OからなるMO6八面体から構成されるペロブスカイト型酸化物又はその類縁の酸化物におけるMO6八面体どうしの相対的な配置を、圧力印加、磁場印加、電場印加、薄膜化、或いは元素置換により調節することによって電気伝導性や磁性などの電子状態を制御することを特徴とする結晶構造歪による固体電子物性の制御方法。

IPC (5件)：

C30B29/22 ,  B01J3/00 ,  B01J19/08 ,  H01L27/105 ,  H01L39/24

FI (6件)：

C30B29/22 Z ,  B01J3/00 A ,  B01J19/08 A ,  B01J19/08 D ,  H01L39/24 B ,  H01L27/10 444C

Fターム (17件)：

4G075AA22 ,  4G075AA61 ,  4G075CA14 ,  4G075CA42 ,  4G075CA51 ,  4G075CA65 ,  4G077AA02 ,  4G077BC51 ,  4G077FH01 ,  4G077FH04 ,  4G077FJ02 ,  4M113CA31 ,  4M113CA33 ,  4M113CA42 ,  5F083FR00 ,  5F083JA13 ,  5F083JA43

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The pressure dependence of magnetization of layered perovskite oxides with 4d-electron metal