特許

J-GLOBAL ID：200903097251405424

エピタキシャル成長用基板及び半導体発光素子

発明者： 角野 雅芳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305823
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145563
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 基板に対して格子不整合の大きいバルクのエピタキシャル層を無欠陥かつ平坦に成長させる。【解決手段】エピタキシャル成長させる最表面の半導体層104を3種類以上の構成元素から構成する。基板101とGaAs層102は同一の結晶構造を有し、これらが相互に接合する接合面102の面方位は等しい。また、基板101とGaAs層103は接合面102に垂直な方向を軸として相対的に一定の角度だけ回転した状態で接合されている。さらに、基板101とGaAs層103は接合面102内の結晶方位の方向が異なる。

請求項（抜粋）：

母体結晶基板に1つ以上の半導体層が積層された構造を有するエピタキシャル成長用基板において、エピタキシャル成長させる最表面の半導体層が3種類以上の構成元素からなり、少なくとも1組の隣接する2つの半導体層又は前記母体結晶基板と1つの半導体層が同一の結晶構造を有し、前記2つの半導体層又は前記母体結晶基板と1つの半導体層が相互に接合する接合面の面方位が等しく、前記2つの半導体層又は前記母体結晶基板と1つの半導体層が前記接合面に垂直な方向を軸として相対的に一定の角度だけ回転した状態で接合され、前記2つの半導体層又は前記母体結晶基板と1つの半導体層の前記接合面内の結晶方位の方向が異なることを特徴とするエピタキシャル成長用基板。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A