特許

J-GLOBAL ID：200903097252871887

半導体装置およびその製造方法

発明者： 受田 高明 ,  篠原 昭平 ,  西村 宏 ,  中林 隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030125
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244180
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 配線溝形成時にエッチング停止膜を用いることにより仕上がり後の配線膜厚のばらつきを小さくする。【構成】 半導体基板1上にBPSG膜2を堆積する工程と、BPSG膜2を平坦化する工程と、前記平坦化後に窒化珪素膜3及びBPSG膜21を堆積する工程と、窒化珪素膜3及びBPSG膜21に孔を開口する工程と、BPSG膜2に半導体基板1との接続孔41と、窒化珪素膜3をエッチングの停止膜としてBPSG膜21に窒化珪素膜3の上面まで達する配線溝5とをエッチングにより同時に形成する工程と、前記接続孔41及び配線溝5にタングステン6を埋め込む工程とを備えた半導体装置の製造方法である。【効果】 エッチング停止膜があるため、配線溝形成時にオーバーエッチングを行うことができ、配線の膜厚ばらつきを小さくすることが出来る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第一の絶縁膜、第二の絶縁膜及び第三の絶縁膜の3層からなる絶縁膜を有し、前記第三の絶縁膜上に前記第二の絶縁膜の上面まで達する溝を有し、前記第一の絶縁膜及び第二の絶縁膜に前記半導体基板と前記溝との接続孔を有し、前記溝及び前記接続孔に配線材料が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/90