特許
J-GLOBAL ID：200903097253191197

酸化亜鉛半導体膜

発明者：
古田 寛

古田 寛 について

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平松 孝浩

平松 孝浩 について

, 
平尾 孝

平尾 孝 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について

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財団法人高知県産業振興センター

財団法人高知県産業振興センター について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-000279
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094535
出願日： 2009年01月05日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】移動度の高い酸化亜鉛半導体膜を提供することを目的とする。【解決手段】成膜室124内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットA,Bに、DC電圧を印加し、両ターゲットA,B間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットA,BのZn粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にZnO膜を形成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
対向して配置された、少なくともその一方が導電性亜鉛金属を含む一組のターゲットの間に形成されたプラズマによるスパッタリングにより発生した亜鉛粒子が酸化されて生成した酸化亜鉛を含んだ生成物が、前記プラズマから離間された基板に、堆積されて形成された、ことを特徴とする酸化亜鉛半導体膜。
IPC (4件)：
H01L 21/363 ,  C23C 14/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L21/363 ,  C23C14/08 C ,  C23C14/08 K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U
Fターム (50件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029HA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103BB24 ,  5F103BB42 ,  5F103DD27 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103NN06 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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