特許
J-GLOBAL ID:200903097253727216

メモリカード供給電圧制御方式

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-170770
公開番号(公開出願番号):特開2000-010668
出願日: 1998年06月18日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】メモリカードを搭載する情報処理装置において、メモリカードの電源電圧が、その装置仕様で決められた単一のものであり、この電源電圧と異なるメモリカードの搭載では動作できなかった。【解決手段】メモリスロット1から4には、電源電圧可変設定部9から通常3.3Vが供給される。メモリカード7がメモリスロット6に搭載されているため、このメモリカードに対してメモリテストを実施する。もし、7の動作電源電圧が3.3Vであれば、テストは正常終了するため、現電源電圧を維持する。7の動作電源電圧が5Vであれば、エラーとなり正常終了せず、システムは供給する電源電圧が異なっていると判断し、9は 1に供給する電源電圧を3.3Vから5Vに切り替える。切り替え後、再度テストを実施し、これでも正常終了しない場合には、DRAMの不良と判断しエラーとする。以上の動作をスロット単位に実施し、異種電源電圧メモリカードの混在搭載を可能にする。
請求項(抜粋):
メモリカードを搭載する情報処理機器において、異種電圧で動作するメモリカードを混在して搭載した場合でも、初期テスト時に実施するメモリテストの合否によって自動的に各メモリカードの動作電源電圧を認識する手段と、上記認識結果から、各スロット毎に供給する第1の電源電圧と第2の電源電圧のうち、その当該スロットに搭載されたメモリカードが動作するために適した電源電圧に自動的に設定できる電源電圧変更手段を有することを特徴とするメモリカード電源電圧制御方式。
IPC (2件):
G06F 1/26 ,  G06K 17/00
FI (3件):
G06F 1/00 330 E ,  G06K 17/00 B ,  G06F 1/00 330 F
Fターム (7件):
5B011EA06 ,  5B011GG17 ,  5B011LL02 ,  5B058CA13 ,  5B058CA22 ,  5B058KA28 ,  5B058YA20

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