特許
J-GLOBAL ID：200903097255920757
非還元性誘電体磁器組成物
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-139813
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【目的】 1080°C以下の低温で焼結し、かつ還元雰囲気で焼成しても電気的特性の劣化の生じない、非還元性誘電体磁器組成物を得る。【構成】 一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A-C){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)(Mg<SB>1/3 </SB>Nb<SB>2/3 </SB>)O<SB>3 </SB>}+CPbTiO<SB>3 </SB>(ただし、A,B,C,XおよびYはモル%)で表され、A,B,C,X,Yがそれぞれ、0≦A≦10,0.8≦B≦8,0≦C≦20,10≦X≦100,0≦Y≦90の範囲にある主成分に、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有し、さらにMnO<SB>2 </SB>を0.01〜0.5重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物である。
請求項（抜粋）：
一般式がA(Bi<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>・BTiO<SB>2 </SB>)+(100-A-C){(Sr<SB>100-X-Y </SB>Pb<SB>X </SB>Ca<SB>Y </SB>)(Mg<SB>1/3 </SB>Nb<SB>2/3 </SB>)O<SB>3 </SB>}+CPbTiO<SB>3 </SB>(ただし、A,B,C,XおよびYはモル%)で表され、A,B,C,X,Yがそれぞれ0≦A≦100.8≦B≦80≦C≦2010≦X≦1000≦Y≦90の範囲にある主成分に、一般式がaLi<SB>2 </SB>O+bRO+cB<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+(100-a-b-c)SiO<SB>2 </SB>(ただし、RはMg,Ca,SrおよびBaの中から選ばれる少なくとも1種類、a,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、それぞれ、0≦a<20,10≦b<55,0≦c<40である副成分を0.1〜30重量%含有し、さらにMnO<SB>2 </SB>を0.01〜0.5重量%含有した、非還元性誘電体磁器組成物。
IPC (2件)：
C04B 35/00
, H01B 3/12 313
