特許
J-GLOBAL ID：200903097257682160
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347841
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160112
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 改良されたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【構成】 プラズマ反応部2は水分子を1010個/cm3 以上該反応部に供給する水分子供給手段11と前記プラズマ反応部2の真空度を一定に保持するための手段を備え、試料処理部4は一定温度に試料温度を保持するための手段及び試料電位を制御するための手段を備えてなるプラズマ処理装置、並びにこの装置を使用して所定条件下で、試料処理部4のプラズマ流が当たる面と反対側の面に前記基板を設置するか又はプラズマ反応部内のプラズマ発光部以外の位置に前記基板を設置してプラズマ処理する方法。【効果】 半導体基板を損傷させることなく、30°C以下の低温で数分の酸化処理で10nm以下の極薄酸化膜を生産効率良く作製することができる。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴により水素ガスプラズマを発生させるプラズマ発生部、前記プラズマ発生部からプラズマ流が導入されるプラズマ反応部、前記プラズマ反応部内に設置された試料処理部、並びに前記プラズマ発生部及びプラズマ反応部を高真空下に保つための排気部からなるプラズマ処理装置において、前記プラズマ反応部は水分子を1010個/cm3 以上該反応部に供給する水分子供給手段と前記プラズマ反応部の真空度を一定に保持するための手段を備え、前記試料処理部は一定温度に試料温度を保持するための手段及び試料電位を制御するための手段を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H05H 1/46
