特許
J-GLOBAL ID：200903097265009343
バイアス回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191331
公開番号（公開出願番号）：特開平9-046141
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】電力増幅用GaAsFETを飽和領域近くで動作させた場合でも、ゲートバイアス電圧を一定に維持して飽和出力電力の低下を防止する。【解決手段】オペアンプ23の出力をトランジスタ24により電流増幅してGaAsFET1のゲートへゲートバイアス電圧Vgとして供給する。オペアンプ23の一方の入力端にゲートバイアス電圧Vgを帰還し、他方の入力端に分圧抵抗21,22により得た電圧を供給し、ボルテージフォロワとして機能させる。
請求項（抜粋）：
電力増幅用GaAsFETのゲートへバイアス電圧を供給するバイアス回路であって、オペアンプと、このオペアンプの出力を電流増幅して前記GaAsFETのゲートへ前記バイアス電圧として出力する電流増幅素子と、一定電圧を分圧して前記バイアス電圧の電圧値に等しい電圧を生成する抵抗とを有し、前記オペアンプの一方の入力端に前記バイアス電圧を帰還し前記オペアンプの他方の入力端に前記抵抗により生成された電圧を供給してなることを特徴とするバイアス回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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