特許
J-GLOBAL ID：200903097265138437

GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材

発明者：
大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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岡川 広明

岡川 広明 について

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湖東 雅弘

湖東 雅弘 について

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只友 一行

只友 一行 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277435
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶のエピタキシャル成長において、マスク材料を用いること無しに転位密度を低減させ、高品質なエピタキシャル膜を得るための成長方法を提供すること。【解決手段】 基板1表面にGaN系化合物半導体膜2を形成した後、SiO2パターン3をその上に形成し、次いでこのパターン3を水素を含む雰囲気で蒸発させることによりアンチサーファクタント領域(Si残留部4)を選択的に形成する。このアンチサーファクタント領域上部に空洞5を形成しながらGaN系化合物半導体結晶20をエピタキシャル成長させる。転位線6は空洞5で遮断されるため、高品質なGaN系化合物半導体結晶20が得られる。
請求項（抜粋）：
基板表面にアンチサーファクタント領域を選択的に形成し、アンチサーファクタント領域上部に空洞を形成しながらGaN系化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (19件)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04
引用特許：
出願人引用 (3件)

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