特許
J-GLOBAL ID：200903097265481808

コンタクトホール形成方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置

発明者：
米山 良一

米山 良一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200117
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチングとウェットエッチングを組み合わせた従来のコンタクトホールの形成方法においては、ドライエッチングのエッチング速度が速いため、ポリシリコン層の直前でエッチングを止めるためにはエッチングガスの量や時間等のエッチング条件を厳しく制御しなくてはならず、そのような精度の高い制御が困難であるためエッチング時間が長くなったりコストアップにつながるという課題があった。【解決手段】 コンタクトホールの形成に際し絶縁膜(102)とその下の接触対象となる導電層(101)を突き抜け導電層の下の基板(100)もしくは絶縁膜の一部をもエッチングするようにドライエッチングを行なってから、前記絶縁膜(102)と導電層(101)との選択比の大きなエッチング液を用いてウェットエッチングを行なうようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の導電層を形成する工程と、前記第1導電層の上方には絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成して前記第1の導電層に接続されるように第2導電層を形成する工程とを有し、前記コンタクトホールを形成する工程は、前記絶縁膜とその下に形成された前記第1導電層を突き抜け、導電層の下の基板もしくは絶縁膜の一部をもエッチングするように異方性ドライエッチングを行なってから、前記絶縁膜と前記第導電層との選択比の大きなエッチング液を用いて等方性ウェットエッチングを行なうようにしたことを特徴とする薄膜半導体装置のコンタクトホール形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 29/78 616 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/90 B
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-146673
  • 液晶表示パネル
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316917   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 特開平1-289917

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