特許

J-GLOBAL ID：200903097265578895

面発光レーザ

発明者： 吉川 隆士
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153863
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004040
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は閾値をさらに低減して、低消費電力、高効率化が図れる面発光型半導体レーザと製造が容易で制御性に優れた面発光型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に、活性層と、この活性層を挟み共振器を形成する一組の分布反射層とを有する面発光レーザにおいて、活性層と分布反射層の間の活性層に近い位置に、開口部を有する電流狭窄用酸化層を設け、この電流狭窄用酸化層より活性層から離れた位置に、電流狭窄用酸化層より広い開口で、膜厚が厚い光狭窄用酸化層を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、活性層と、この活性層を挟み共振器を形成する一組の分布反射層とを有する面発光レーザにおいて、活性層と分布反射層の間の活性層に近い位置に、開口部を有する電流狭窄用酸化層を設け、この電流狭窄用酸化層より活性層から離れた位置に、電流狭窄用酸化層より広い開口で、膜厚が厚い光狭窄用酸化層を設けたことを特徴とする面発光レーザ。